Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N06S208ATMA2

IPB80N06S208ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S208ATMA2
LIXINC Part # IPB80N06S208ATMA2
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S208ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S208ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S208ATMA2
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:7.7mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:96 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.86 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):215W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S208ATMA2 Документы

if IPB80N06S208ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

5LP01C-TB-E 5LP01C-TB-E MOSFET P-CH 50V 70MA 3CP 7484

Подробнее о заказе
NTNS3164NZT5G NTNS3164NZT5G MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883 10833

Подробнее о заказе
IXFT26N100XHV IXFT26N100XHV MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV 1514

Подробнее о заказе
IRF530STRLPBF IRF530STRLPBF MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK 3861

Подробнее о заказе
AON6260 AON6260 MOSFET N-CH 60V 41A/85A 8DFN 998

Подробнее о заказе
TK7A60W,S4VX TK7A60W,S4VX MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS 835

Подробнее о заказе
SI4143DY-T1-GE3 SI4143DY-T1-GE3 MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO 19824

Подробнее о заказе
IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 4127

Подробнее о заказе
IRFR010TRLPBF IRFR010TRLPBF MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK 866

Подробнее о заказе
SIHG33N60EF-GE3 SIHG33N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC 825

Подробнее о заказе
RJK0354DSP-00#J0 RJK0354DSP-00#J0 MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP 6353

Подробнее о заказе
IXFR32N100Q3 IXFR32N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 993

Подробнее о заказе
SIHD3N50D-E3 SIHD3N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 3A DPAK 3822

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12838 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.05000$1.05
1000$0.98108$981.08

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top