Только для справки
| номер части | IPD60R520CPBTMA1 |
| LIXINC Part # | IPD60R520CPBTMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPD60R520CPBTMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPD60R520CPBTMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6.8A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 520mOhm @ 3.8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 630 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 66W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IPD85P04P4L06ATMA1 | MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 | 833 Подробнее о заказе |
|
| BSZ100N06LS3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON | 902 Подробнее о заказе |
|
| RM2304 | MOSFET N-CHANNEL 30V 3.6A SOT23 | 962 Подробнее о заказе |
|
| BSS127S-7 | MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 | 10435 Подробнее о заказе |
|
| MTP6P20E | MOSFET P-CH 200V 6A TO220AB | 985 Подробнее о заказе |
|
| SIA421DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 30466 Подробнее о заказе |
|
| AUIRLS4030-7TRL | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK | 1572 Подробнее о заказе |
|
| IXFA6N120P-TRL | MOSFET N-CH 1200V 6A TO263 | 923 Подробнее о заказе |
|
| IRF3205STRRPBF | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | 872 Подробнее о заказе |
|
| NDD05N50ZT4G | MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK | 284825 Подробнее о заказе |
|
| NDD01N60T4G | MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK | 4693 Подробнее о заказе |
|
| HUF76013D3ST | MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA | 151648 Подробнее о заказе |
|
| IRF610PBF | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB | 999 Подробнее о заказе |
| В наличии | 18385 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.68000 | $0.68 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.