Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSZ100N06LS3GATMA1

BSZ100N06LS3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSZ100N06LS3GATMA1
LIXINC Part # BSZ100N06LS3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSZ100N06LS3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSZ100N06LS3GATMA1 Технические характеристики

номер части:BSZ100N06LS3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:11A (Ta), 20A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 23µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3500 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.1W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TSDSON-8
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

BSZ100N06LS3GATMA1 Документы

if BSZ100N06LS3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

RM2304 RM2304 MOSFET N-CHANNEL 30V 3.6A SOT23 942

Подробнее о заказе
BSS127S-7 BSS127S-7 MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 10349

Подробнее о заказе
MTP6P20E MTP6P20E MOSFET P-CH 200V 6A TO220AB 884

Подробнее о заказе
SIA421DJ-T1-GE3 SIA421DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 30509

Подробнее о заказе
AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030-7TRL MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK 1561

Подробнее о заказе
IXFA6N120P-TRL IXFA6N120P-TRL MOSFET N-CH 1200V 6A TO263 929

Подробнее о заказе
IRF3205STRRPBF IRF3205STRRPBF MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK 857

Подробнее о заказе
NDD05N50ZT4G NDD05N50ZT4G MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK 284933

Подробнее о заказе
NDD01N60T4G NDD01N60T4G MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK 4556

Подробнее о заказе
HUF76013D3ST HUF76013D3ST MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA 151638

Подробнее о заказе
IRF610PBF IRF610PBF MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB 999

Подробнее о заказе
STD140N6F7 STD140N6F7 MOSFET N-CH 60V 80A DPAK 957

Подробнее о заказе
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 MOSFET N-CH 650V 3.6A TO252 3233

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10941 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.00000$1
5000$0.41924$2096.2
10000$0.40348$4034.8
25000$0.40119$10029.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top