NVH4L080N120SC1 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1

Увеличить

Только для справки

номер части	NVH4L080N120SC1
LIXINC Part #	NVH4L080N120SC1
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	TRANS SJT N-CH 1200V 29A TO247-4
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVH4L080N120SC1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVH4L080N120SC1 Технические характеристики

номер части:	NVH4L080N120SC1
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	29A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.3V @ 5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 20 V
ВГС (макс.):	+25V, -15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1670 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	170mW (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-247-4
упаковка / чехол:	TO-247-4

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$11.78000	$11.78

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015