TPN5900CNH,L1Q

TPN5900CNH,L1Q
Увеличить

Только для справки

номер части TPN5900CNH,L1Q
LIXINC Part # TPN5900CNH,L1Q
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TPN5900CNH,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPN5900CNH,L1Q Технические характеристики

номер части:TPN5900CNH,L1Q
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSVIII-H
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:59mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 75 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):700mW (Ta), 39W (Tc)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STP13NM60N STP13NM60N MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 887

Подробнее о заказе

DMTH69M8LFVW-7 DMTH69M8LFVW-7 MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI 993

Подробнее о заказе

BSZ0994NSATMA1 BSZ0994NSATMA1 MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25 862

Подробнее о заказе

RM6N100S4 RM6N100S4 MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3 853

Подробнее о заказе

IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 29975

Подробнее о заказе

SQ2309ES-T1_GE3 SQ2309ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236 1642

Подробнее о заказе

SUD50N04-09H-E3 SUD50N04-09H-E3 MOSFET N-CH 40V 50A TO252 903

Подробнее о заказе

FQI5N15TU FQI5N15TU MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK 6598

Подробнее о заказе

UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3 2613

Подробнее о заказе

IRF2907ZSPBF IRF2907ZSPBF MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK 890

Подробнее о заказе

AOTF25S65 AOTF25S65 MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3F 912

Подробнее о заказе

IRFR430BTM IRFR430BTM N-CHANNEL POWER MOSFET 266206

Подробнее о заказе

IPZA60R037P7XKSA1 IPZA60R037P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4 914

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12791 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.27000$1.27
5000$0.50738$2536.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top