Только для справки
| номер части | TPN5900CNH,L1Q |
| LIXINC Part # | TPN5900CNH,L1Q |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPN5900CNH,L1Q След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPN5900CNH,L1Q |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVIII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 150 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 9A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 59mOhm @ 4.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 200µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 7 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 600 pF @ 75 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
| STP13NM60N | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 | 887 Подробнее о заказе |
|
| DMTH69M8LFVW-7 | MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI | 993 Подробнее о заказе |
|
| BSZ0994NSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25 | 862 Подробнее о заказе |
|
| RM6N100S4 | MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3 | 853 Подробнее о заказе |
|
| IPT020N10N3ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF | 29975 Подробнее о заказе |
|
| SQ2309ES-T1_GE3 | MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236 | 1642 Подробнее о заказе |
|
| SUD50N04-09H-E3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | 903 Подробнее о заказе |
|
| FQI5N15TU | MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK | 6598 Подробнее о заказе |
|
| UJ3C120070K3S | SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3 | 2613 Подробнее о заказе |
|
| IRF2907ZSPBF | MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK | 890 Подробнее о заказе |
|
| AOTF25S65 | MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3F | 912 Подробнее о заказе |
|
| IRFR430BTM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 266206 Подробнее о заказе |
|
| IPZA60R037P7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4 | 914 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12791 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.27000 | $1.27 |
| 5000 | $0.50738 | $2536.9 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.