Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPC100N04S5L2R6ATMA1

IPC100N04S5L2R6ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPC100N04S5L2R6ATMA1
LIXINC Part # IPC100N04S5L2R6ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPC100N04S5L2R6ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPC100N04S5L2R6ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPC100N04S5L2R6ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 30µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2925 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):75W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-34
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

IPC100N04S5L2R6ATMA1 Документы

if IPC100N04S5L2R6ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRF7421D1TRPBF IRF7421D1TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO 4730

Подробнее о заказе
IPD60R460CEATMA1 IPD60R460CEATMA1 MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3 1771

Подробнее о заказе
XP261N7002TR-G XP261N7002TR-G MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23 3707

Подробнее о заказе
NP80N055PDG-E1B-AY NP80N055PDG-E1B-AY MOSFET N-CH 55V 80A TO263 5874

Подробнее о заказе
IPI22N03S4L15AKSA1 IPI22N03S4L15AKSA1 MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3 18304

Подробнее о заказе
TK155U65Z,RQ TK155U65Z,RQ DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ 4946

Подробнее о заказе
TP0606N3-G-P003 TP0606N3-G-P003 MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 982

Подробнее о заказе
NP82N04MDG-S18-AY NP82N04MDG-S18-AY MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3 5754

Подробнее о заказе
BUK9Y15-100E,115 BUK9Y15-100E,115 MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56 874

Подробнее о заказе
BUK7Y10-30B,115 BUK7Y10-30B,115 MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK56 2394

Подробнее о заказе
NTMS4872NR2G NTMS4872NR2G MOSFET N-CH 30V 6A/10.2A 8SOIC 195168

Подробнее о заказе
IXFK64N60Q3 IXFK64N60Q3 MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA 504358

Подробнее о заказе
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 TRANS SJT N-CH 1200V 29A TO247-4 2770

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12770 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.31000$1.31
5000$0.47162$2358.1
10000$0.45389$4538.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top