BSD314SPEH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSD314SPEH6327XTSA1 | BSD314SPEH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSD314SPEH6327XTSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSD314SPEH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSD314SPEH6327XTSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSD314SPEH6327XTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSD314SPEH6327XTSA1 Технические характеристики

номер части:	BSD314SPEH6327XTSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 6.3µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	2.9 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	294 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	500mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT363-6
упаковка / чехол:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363

SPU03N60C3BKMA1	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3	19980 Подробнее о заказе
TPH4R50ANH,L1Q	MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV	5527 Подробнее о заказе
NTD20P06LT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	5961 Подробнее о заказе
ZXMN3B14FTA	MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3	21333 Подробнее о заказе
TK25S06N1L,LXHQ	MOSFET N-CH 60V 25A DPAK	4497 Подробнее о заказе
UF3SC065030D8S	SICFET N-CH 650V 18A 4DFN	999 Подробнее о заказе
IPC100N04S5L2R6ATMA1	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34	2745 Подробнее о заказе
IRF7421D1TRPBF	MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO	4615 Подробнее о заказе
IPD60R460CEATMA1	MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3	1650 Подробнее о заказе
XP261N7002TR-G	MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23	3746 Подробнее о заказе
NP80N055PDG-E1B-AY	MOSFET N-CH 55V 80A TO263	5952 Подробнее о заказе
IPI22N03S4L15AKSA1	MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3	18461 Подробнее о заказе
TK155U65Z,RQ	DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ	4900 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.48000	$0.48
9000	$0.10675	$960.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015