IPZ40N04S58R4ATMA1

IPZ40N04S58R4ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPZ40N04S58R4ATMA1
LIXINC Part # IPZ40N04S58R4ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPZ40N04S58R4ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPZ40N04S58R4ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPZ40N04S58R4ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):7V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:8.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.4V @ 10µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:13.7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:771 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):34W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TSDSON-8-32
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3 49454

Подробнее о заказе

SI2321-TP SI2321-TP MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23 2191

Подробнее о заказе

IRFR3709ZPBF IRFR3709ZPBF MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 871

Подробнее о заказе

SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC 1002

Подробнее о заказе

FDN359BN FDN359BN MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 158289806

Подробнее о заказе

IXTY1N80P IXTY1N80P MOSFET N-CH 800V 1A TO252 861

Подробнее о заказе

HUF76609D3ST HUF76609D3ST MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA 10373320

Подробнее о заказе

STD10P6F6 STD10P6F6 MOSFET P CH 60V 10A DPAK 7251

Подробнее о заказе

RSS060P05FRATB RSS060P05FRATB MOSFET P-CH 45V 6A 8SOP 4746

Подробнее о заказе

IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF HEXFET POWER MOSFET 1704

Подробнее о заказе

PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS,115 MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56 889

Подробнее о заказе

IRFR224TRPBF IRFR224TRPBF MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK 2450

Подробнее о заказе

IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK 1611

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 18185 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.85000$0.85
5000$0.32834$1641.7
10000$0.31618$3161.8
25000$0.30955$7738.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top