Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDN359BN

FDN359BN
Увеличить

Только для справки

номер части FDN359BN
LIXINC Part # FDN359BN
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDN359BN След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDN359BN Технические характеристики

номер части:FDN359BN
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.7A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:46mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:650 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):500mW (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:SuperSOT-3
упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDN359BN Документы

if FDN359BN PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXTY1N80P IXTY1N80P MOSFET N-CH 800V 1A TO252 906

Подробнее о заказе
HUF76609D3ST HUF76609D3ST MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA 10373307

Подробнее о заказе
STD10P6F6 STD10P6F6 MOSFET P CH 60V 10A DPAK 7356

Подробнее о заказе
RSS060P05FRATB RSS060P05FRATB MOSFET P-CH 45V 6A 8SOP 4676

Подробнее о заказе
IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF HEXFET POWER MOSFET 1675

Подробнее о заказе
PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R0-60YS,115 MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56 999

Подробнее о заказе
IRFR224TRPBF IRFR224TRPBF MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK 2603

Подробнее о заказе
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK 1726

Подробнее о заказе
GKI03026 GKI03026 MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN 957

Подробнее о заказе
SPU01N60C3BKMA1 SPU01N60C3BKMA1 MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3 893

Подробнее о заказе
STW25N60M2-EP STW25N60M2-EP MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247 949

Подробнее о заказе
IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AU 866

Подробнее о заказе
FQI4N25TU FQI4N25TU MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK 932

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 158289964 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.48000$0.48
3000$0.14292$428.76
6000$0.13426$805.56
15000$0.12559$1883.85
30000$0.11520$3456
75000$0.11087$8315.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top