NVMFS5C612NLAFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS5C612NLAFT1G | NVMFS5C612NLAFT1G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C612NLAFT1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NVMFS5C612NLAFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5C612NLAFT1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVMFS5C612NLAFT1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVMFS5C612NLAFT1G Технические характеристики

номер части:	NVMFS5C612NLAFT1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	38A (Ta), 250A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.36mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	91 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	6660 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN, 5 Leads

SQS484CENW-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W	5489 Подробнее о заказе
STL10N60M6	MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT HV	1002 Подробнее о заказе
MGSF3433VT1	PFET TSOP6S 20V 0.098R TR	3745 Подробнее о заказе
IRL530NSTRRPBF	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK	1791 Подробнее о заказе
STF20N90K5	MOSFET N-CH 900V 20A TO220FP	832 Подробнее о заказе
IPA032N06N3GXKSA1	MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31	1247 Подробнее о заказе
FCP099N65S3	MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3	837 Подробнее о заказе
RQ7E055ATTCR	MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8	5613 Подробнее о заказе
NTMFS4941NT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9	177811 Подробнее о заказе
CSD13306WT	MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA	2666 Подробнее о заказе
STI10N62K3	MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK	819 Подробнее о заказе
DMT6007LFG-7	MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333	14491 Подробнее о заказе
IRFH4234TRPBF	MOSFET N-CH 25V 22A PQFN	839 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.86000	$1.86
1500	$1.86000	$2790

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015