CSD13306WT | Texas Instruments CSD13306WT | CSD13306WT Inventory, Best Pricing

CSD13306WT

Увеличить

Только для справки

номер части	CSD13306WT
LIXINC Part #	CSD13306WT
Производитель	Texas Instruments
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CSD13306WT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CSD13306WT Технические характеристики

номер части:	CSD13306WT
Бренд:	Texas Instruments
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Texas Instruments
ряд:	NexFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	12 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	11.2 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 6 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.9W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-DSBGA (1x1.5)
упаковка / чехол:	6-UFBGA, DSBGA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015