Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FQI3N80TU

FQI3N80TU
Увеличить

Только для справки

номер части FQI3N80TU
LIXINC Part # FQI3N80TU
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQI3N80TU След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQI3N80TU Технические характеристики

номер части:FQI3N80TU
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:QFET®
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:690 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.13W (Ta), 107W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:I2PAK (TO-262)
упаковка / чехол:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FQI3N80TU Документы

if FQI3N80TU PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXTA160N10T IXTA160N10T MOSFET N-CH 100V 160A TO263 839

Подробнее о заказе
DMN2055U-13 DMN2055U-13 MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1 30960

Подробнее о заказе
IPB60R190P6ATMA1 IPB60R190P6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK 948

Подробнее о заказе
NDS332P NDS332P MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 10415

Подробнее о заказе
APT22F100J APT22F100J MOSFET N-CH 1000V 23A ISOTOP 943

Подробнее о заказе
IRF8714TRPBF IRF8714TRPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 7068

Подробнее о заказе
BUK969R3-100E,118 BUK969R3-100E,118 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 996

Подробнее о заказе
SSM3J35CT,L3F SSM3J35CT,L3F MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 10614

Подробнее о заказе
STF10N80K5 STF10N80K5 MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP 1798

Подробнее о заказе
SI3493BDV-T1-E3 SI3493BDV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP 1065

Подробнее о заказе
FDS7760A FDS7760A MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 576717

Подробнее о заказе
IRFB4227PBF IRFB4227PBF MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 903

Подробнее о заказе
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 934

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10814 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.59000$0.59

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top