Только для справки
номер части | IPB019N06L3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB019N06L3GATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | IPB019N06L3GATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jun 15 - Jun 19 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | IPB019N06L3GATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 120A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 196µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 166 nC @ 4.5 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 28000 pF @ 30 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 250W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
SUM60N02-3M9P-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A TO263 | 910 Подробнее о заказе |
|
SI4840BDY-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 19A 8SO | 13493 Подробнее о заказе |
|
DMTH3004LFG-13 | MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333 | 915 Подробнее о заказе |
|
STL10LN80K5 | MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV | 948 Подробнее о заказе |
|
VP0106N3-G | MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 | 1318 Подробнее о заказе |
|
2SK3065T100 | MOSFET N-CH 60V 2A MPT3 | 20163 Подробнее о заказе |
|
PMN25ENEAX | MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP | 9942 Подробнее о заказе |
|
IPD60R280PFD7SAUMA1 | MOSFET N-CH 650V 12A TO252-3 | 3387 Подробнее о заказе |
|
STD12NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 2761 Подробнее о заказе |
|
IXFK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA | 850 Подробнее о заказе |
|
STWA75N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 72A TO247 | 1484 Подробнее о заказе |
|
FDB6035L | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1757 Подробнее о заказе |
|
FDN5618P | MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 | 869 Подробнее о заказе |
В наличии | 10849 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $3.30000 | $3.3 |
1000 | $2.46275 | $2462.75 |
2000 | $2.33962 | $4679.24 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.