Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IMBF170R650M1XTMA1

IMBF170R650M1XTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IMBF170R650M1XTMA1
LIXINC Part # IMBF170R650M1XTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IMBF170R650M1XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IMBF170R650M1XTMA1 Технические характеристики

номер части:IMBF170R650M1XTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolSiC™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):1700 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):12V, 15V
rds on (max) @ id, vgs:650mOhm @ 1.5A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:5.7V @ 1.7mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 12 V
ВГС (макс.):+20V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:422 pF @ 1000 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):88W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:-
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7
упаковка / чехол:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSC067N06LS3 BSC067N06LS3 N-CHANNEL POWER MOSFET 926

Подробнее о заказе
H5N2007LSTL-E H5N2007LSTL-E 25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M 23827

Подробнее о заказе
BUK7E1R9-40E,127 BUK7E1R9-40E,127 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 5817

Подробнее о заказе
FCB36N60NTM FCB36N60NTM MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK 101133715

Подробнее о заказе
IRFB7534PBF IRFB7534PBF MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB 865

Подробнее о заказе
MSC100SM70JCU2 MSC100SM70JCU2 TRANS SJT N-CH 700V 124A SOT227 929

Подробнее о заказе
ZVN4525E6TA ZVN4525E6TA MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 6447

Подробнее о заказе
RTQ020N05TR RTQ020N05TR MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 936

Подробнее о заказе
SCTH100N65G2-7AG SCTH100N65G2-7AG SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7 833

Подробнее о заказе
APT5018SLLG/TR APT5018SLLG/TR MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK 927

Подробнее о заказе
PCP1402-TD-H PCP1402-TD-H MOSFET N-CH 250V 1.2A SOT89 2999

Подробнее о заказе
STF3N80K5 STF3N80K5 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP 1312

Подробнее о заказе
SSP4N90A SSP4N90A N-CHANNEL POWER MOSFET 3949

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11589 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$7.28000$7.28

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top