SCTH100N65G2-7AG | STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG | SCTH100N65G2-7AG Inventory, Best Pricing

SCTH100N65G2-7AG

Увеличить

Только для справки

номер части	SCTH100N65G2-7AG
LIXINC Part #	SCTH100N65G2-7AG
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SCTH100N65G2-7AG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SCTH100N65G2-7AG Технические характеристики

номер части:	SCTH100N65G2-7AG
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	95A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	18V
rds on (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	162 nC @ 18 V
ВГС (макс.):	+22V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3315 pF @ 520 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	360W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	H2PAK-7
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$27.92000	$27.92

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015