Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDP16AN08A0

FDP16AN08A0
Увеличить

Только для справки

номер части FDP16AN08A0
LIXINC Part # FDP16AN08A0
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDP16AN08A0 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDP16AN08A0 Технические характеристики

номер части:FDP16AN08A0
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):75 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9A (Ta), 58A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:16mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.857 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):135W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-220-3
упаковка / чехол:TO-220-3

FDP16AN08A0 Документы

if FDP16AN08A0 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BUK9M8R5-40HX BUK9M8R5-40HX MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 5417

Подробнее о заказе
IPB80N06S2L06ATMA2 IPB80N06S2L06ATMA2 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 924

Подробнее о заказе
APT20M20B2FLLG APT20M20B2FLLG MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX 962

Подробнее о заказе
IRFR4615PBF IRFR4615PBF MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 893

Подробнее о заказе
SPI15N60CFD SPI15N60CFD N-CHANNEL POWER MOSFET 12400

Подробнее о заказе
T2N7002BK,LM T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 85393

Подробнее о заказе
IRF242 IRF242 MOSFET N-CH 200V 16A TO3 1248

Подробнее о заказе
FDD6630A FDD6630A MOSFET N-CH 30V 21A TO252 4313

Подробнее о заказе
BSZ0804LSATMA1 BSZ0804LSATMA1 MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON 10775

Подробнее о заказе
IRFS7434PBF IRFS7434PBF MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 965

Подробнее о заказе
FQD9N25TM-F080 FQD9N25TM-F080 MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK 836

Подробнее о заказе
IPP80R1K4P7 IPP80R1K4P7 IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN 1864

Подробнее о заказе
ATP404-H-TL-H ATP404-H-TL-H POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 78987

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 16792 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.38000$1.38
800$1.38000$1104

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top