Только для справки
| номер части | FDP16AN08A0 |
| LIXINC Part # | FDP16AN08A0 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDP16AN08A0 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDP16AN08A0 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 75 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 9A (Ta), 58A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 16mOhm @ 58A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.857 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 135W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| BUK9M8R5-40HX | MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33 | 5365 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S2L06ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 1022 Подробнее о заказе |
|
| APT20M20B2FLLG | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | 884 Подробнее о заказе |
|
| IRFR4615PBF | MOSFET N-CH 150V 33A DPAK | 862 Подробнее о заказе |
|
| SPI15N60CFD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 12342 Подробнее о заказе |
|
| T2N7002BK,LM | MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 | 85366 Подробнее о заказе |
|
| IRF242 | MOSFET N-CH 200V 16A TO3 | 1169 Подробнее о заказе |
|
| FDD6630A | MOSFET N-CH 30V 21A TO252 | 4306 Подробнее о заказе |
|
| BSZ0804LSATMA1 | MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON | 10901 Подробнее о заказе |
|
| IRFS7434PBF | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 804 Подробнее о заказе |
|
| FQD9N25TM-F080 | MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK | 940 Подробнее о заказе |
|
| IPP80R1K4P7 | IPP80R1K4 - 800V COOLMOS N-CHANN | 1874 Подробнее о заказе |
|
| ATP404-H-TL-H | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 78937 Подробнее о заказе |
| В наличии | 16842 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.38000 | $1.38 |
| 800 | $1.38000 | $1104 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.