FDFMA2N028Z

FDFMA2N028Z
Увеличить

Только для справки

номер части FDFMA2N028Z
LIXINC Part # FDFMA2N028Z
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDFMA2N028Z След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDFMA2N028Z Технические характеристики

номер части:FDFMA2N028Z
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3.7A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:68mOhm @ 3.7A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:6 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:455 pF @ 10 V
Фет-функция:Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):1.4W (Tj)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:6-MicroFET (2x2)
упаковка / чехол:6-VDFN Exposed Pad

Продукты, которые могут вас заинтересовать

ISS17EP06LMXTSA1 ISS17EP06LMXTSA1 MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3 3586

Подробнее о заказе

FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3 1006

Подробнее о заказе

STW9N80K5 STW9N80K5 MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247 1452

Подробнее о заказе

BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON 32931

Подробнее о заказе

NTMFS4H013NFT3G NTMFS4H013NFT3G MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN 814

Подробнее о заказе

2N7002LT7G 2N7002LT7G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 88437

Подробнее о заказе

NDS0605 NDS0605 MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 861

Подробнее о заказе

CPH3331-TL-E CPH3331-TL-E P-CHANNEL SILICON MOSFET 33872

Подробнее о заказе

STP180N4F6 STP180N4F6 MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220 802

Подробнее о заказе

AOTF3N80 AOTF3N80 MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F 952

Подробнее о заказе

BUK9840-55/CUX BUK9840-55/CUX MOSFET N-CH 55V 5A/10.7A SOT223 924

Подробнее о заказе

G30N04D3 G30N04D3 MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L 6879

Подробнее о заказе

RJK4006DPD-00#J2 RJK4006DPD-00#J2 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 33859

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 646521815 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.77000$0.77
3000$0.30803$924.09
6000$0.28679$1720.74
15000$0.27617$4142.55
30000$0.27037$8111.1

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top