ISS17EP06LMXTSA1 | IR (Infineon Technologies) ISS17EP06LMXTSA1 | ISS17EP06LMXTSA1 Inventory, Best Pricing

ISS17EP06LMXTSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	ISS17EP06LMXTSA1
LIXINC Part #	ISS17EP06LMXTSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	ISS17EP06LMXTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

ISS17EP06LMXTSA1 Технические характеристики

номер части:	ISS17EP06LMXTSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	300mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 34µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	1.79 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	55 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	360W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT23-3
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FDP085N10A-F102	MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3	905 Подробнее о заказе
STW9N80K5	MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO247	1537 Подробнее о заказе
BSC057N08NS3GATMA1	MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON	32892 Подробнее о заказе
NTMFS4H013NFT3G	MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN	970 Подробнее о заказе
2N7002LT7G	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3	88476 Подробнее о заказе
NDS0605	MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23	889 Подробнее о заказе
CPH3331-TL-E	P-CHANNEL SILICON MOSFET	33955 Подробнее о заказе
STP180N4F6	MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220	937 Подробнее о заказе
AOTF3N80	MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F	884 Подробнее о заказе
BUK9840-55/CUX	MOSFET N-CH 55V 5A/10.7A SOT223	989 Подробнее о заказе
G30N04D3	MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L	6838 Подробнее о заказе
RJK4006DPD-00#J2	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	33918 Подробнее о заказе
NTE455	MOSFET-DUAL GATE N-CH	1284 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.48000	$0.48

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015