SIE810DF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIE810DF-T1-GE3 | SIE810DF-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIE810DF-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIE810DF-T1-GE3
LIXINC Part #	SIE810DF-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIE810DF-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIE810DF-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIE810DF-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	300 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	13000 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	10-PolarPAK® (L)
упаковка / чехол:	10-PolarPAK® (L)

IPI111N15N3GAKSA1	MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3	912 Подробнее о заказе
NTR4101PT1G	MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3	242083 Подробнее о заказе
NTMFS4H01NFT3G	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN	859 Подробнее о заказе
IPB029N06N3GE8187ATMA1	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK	933 Подробнее о заказе
NTE2973	MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P	1182 Подробнее о заказе
RSQ035N03HZGTR	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6	3425 Подробнее о заказе
AOT296L	MOSFET N-CH 100V 9.5A/70A TO220	804 Подробнее о заказе
BUK7Y3R0-40HX	MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56	841 Подробнее о заказе
TK8A60DA(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS	876 Подробнее о заказе
IXFH150N25X3	MOSFET N-CH 250V 150A TO247	8340 Подробнее о заказе
SIHF9640S-GE3	MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK	975 Подробнее о заказе
SI4401BDY-T1-E3	MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO	29818 Подробнее о заказе
RFP10N15L	N-CHANNEL POWER MOSFET	37119 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.61000	$3.61
3000	$1.88189	$5645.67

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015