IPI111N15N3GAKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPI111N15N3GAKSA1 | IPI111N15N3GAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI111N15N3GAKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPI111N15N3GAKSA1
LIXINC Part #	IPI111N15N3GAKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPI111N15N3GAKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPI111N15N3GAKSA1 Технические характеристики

номер части:	IPI111N15N3GAKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	83A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	8V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	11.1mOhm @ 83A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 160µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3230 pF @ 75 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	214W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO262-3
упаковка / чехол:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NTR4101PT1G	MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3	242229 Подробнее о заказе
NTMFS4H01NFT3G	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN	906 Подробнее о заказе
IPB029N06N3GE8187ATMA1	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK	934 Подробнее о заказе
NTE2973	MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P	1141 Подробнее о заказе
RSQ035N03HZGTR	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6	3429 Подробнее о заказе
AOT296L	MOSFET N-CH 100V 9.5A/70A TO220	873 Подробнее о заказе
BUK7Y3R0-40HX	MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56	901 Подробнее о заказе
TK8A60DA(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220SIS	861 Подробнее о заказе
IXFH150N25X3	MOSFET N-CH 250V 150A TO247	8353 Подробнее о заказе
SIHF9640S-GE3	MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK	896 Подробнее о заказе
SI4401BDY-T1-E3	MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO	29800 Подробнее о заказе
RFP10N15L	N-CHANNEL POWER MOSFET	37141 Подробнее о заказе
STB10NK60ZT4	MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK	3451 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.81634	$2.81634
500	$2.81634	$1408.17

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015