FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P
Увеличить

Только для справки

номер части FQD12N20LTM-F085P
LIXINC Part # FQD12N20LTM-F085P
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQD12N20LTM-F085P След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQD12N20LTM-F085P Технические характеристики

номер части:FQD12N20LTM-F085P
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:QFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1080 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-252, (D-Pak)
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPB80P03P4L07ATMA1 IPB80P03P4L07ATMA1 MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 886

Подробнее о заказе

IPI70N04S406AKSA1 IPI70N04S406AKSA1 MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3 3414

Подробнее о заказе

IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600 - COOLMOS N-CHANNEL 913

Подробнее о заказе

R6042JNZ4C13 R6042JNZ4C13 MOSFET N-CH 600V 42A TO247G 1451

Подробнее о заказе

FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK 981

Подробнее о заказе

RD3L140SPTL1 RD3L140SPTL1 MOSFET P-CH 60V 14A TO252 9940

Подробнее о заказе

SQS460ENW-T1_GE3 SQS460ENW-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W 1101

Подробнее о заказе

IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 21403

Подробнее о заказе

AOT8N80L AOT8N80L MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 930

Подробнее о заказе

IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF MOSFET N-CH 20V 100A DPAK 932

Подробнее о заказе

SIR164DP-T1-RE3 SIR164DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 903

Подробнее о заказе

IPB50R199CP IPB50R199CP MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2 13872

Подробнее о заказе

IRLL3303PBF IRLL3303PBF MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 996

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10892 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.81180$0.8118
2500$0.81180$2029.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top