Только для справки
| номер части | IPB80P03P4L07ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB80P03P4L07ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB80P03P4L07ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB80P03P4L07ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 80A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 6.9mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 130µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 80 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | +5V, -16V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5700 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 88W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IPI70N04S406AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3 | 3470 Подробнее о заказе |
|
| IPD65R600E6ATMA1 | IPD65R600 - COOLMOS N-CHANNEL | 973 Подробнее о заказе |
|
| R6042JNZ4C13 | MOSFET N-CH 600V 42A TO247G | 1437 Подробнее о заказе |
|
| FDB045AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK | 1038 Подробнее о заказе |
|
| RD3L140SPTL1 | MOSFET P-CH 60V 14A TO252 | 9975 Подробнее о заказе |
|
| SQS460ENW-T1_GE3 | MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W | 1029 Подробнее о заказе |
|
| IRFL024ZTRPBF | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 | 21354 Подробнее о заказе |
|
| AOT8N80L | MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 | 991 Подробнее о заказе |
|
| IRLR6225TRPBF | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK | 894 Подробнее о заказе |
|
| SIR164DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 | 904 Подробнее о заказе |
|
| IPB50R199CP | MOSFET N-CH 500V 17A TO263-3-2 | 13889 Подробнее о заказе |
|
| IRLL3303PBF | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | 880 Подробнее о заказе |
|
| FCA22N60N | MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN | 434828 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10928 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.91542 | $0.91542 |
| 1000 | $0.87094 | $870.94 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.