TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q
Увеличить

Только для справки

номер части TPN3R704PL,L1Q
LIXINC Part # TPN3R704PL,L1Q
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TPN3R704PL,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPN3R704PL,L1Q Технические характеристики

номер части:TPN3R704PL,L1Q
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSIX-H
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 0.2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2500 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):630mW (Ta), 86W (Tc)
Рабочая Температура:175°C
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30EL,127 MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 4978

Подробнее о заказе

R6015KNX R6015KNX MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM 4203

Подробнее о заказе

IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 993

Подробнее о заказе

IPW60R060C7XKSA1 IPW60R060C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 969

Подробнее о заказе

IPZ60R060C7XKSA1 IPZ60R060C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 1144

Подробнее о заказе

SUM52N20-39P-E3 SUM52N20-39P-E3 MOSFET N-CH 200V 52A TO263 991

Подробнее о заказе

IXFH50N20 IXFH50N20 MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD 2725

Подробнее о заказе

CSD16570Q5BT CSD16570Q5BT MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 3779

Подробнее о заказе

RM2P60S2 RM2P60S2 MOSFET P-CHANNEL 60V 1.9A SOT23 924

Подробнее о заказе

DMG7N65SJ3 DMG7N65SJ3 MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251 972

Подробнее о заказе

IRLS4030-7PPBF IRLS4030-7PPBF IRLS4030 - HEXFET POWER MOSFET 964

Подробнее о заказе

IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 MOSFET N-CH 650V 12A TO220 2246

Подробнее о заказе

IPP80N08S406AKSA1 IPP80N08S406AKSA1 MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3-1 77672

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19620 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.74000$0.74
5000$0.25900$1295

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top