Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD90N06S4L06ATMA2

IPD90N06S4L06ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD90N06S4L06ATMA2
LIXINC Part # IPD90N06S4L06ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD90N06S4L06ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD90N06S4L06ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD90N06S4L06ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:75 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5680 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):79W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD90N06S4L06ATMA2 Документы

if IPD90N06S4L06ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPW60R060C7XKSA1 IPW60R060C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 1019

Подробнее о заказе
IPZ60R060C7XKSA1 IPZ60R060C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 1211

Подробнее о заказе
SUM52N20-39P-E3 SUM52N20-39P-E3 MOSFET N-CH 200V 52A TO263 827

Подробнее о заказе
IXFH50N20 IXFH50N20 MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD 2679

Подробнее о заказе
CSD16570Q5BT CSD16570Q5BT MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 3820

Подробнее о заказе
RM2P60S2 RM2P60S2 MOSFET P-CHANNEL 60V 1.9A SOT23 814

Подробнее о заказе
DMG7N65SJ3 DMG7N65SJ3 MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251 973

Подробнее о заказе
IRLS4030-7PPBF IRLS4030-7PPBF IRLS4030 - HEXFET POWER MOSFET 1032

Подробнее о заказе
IXTP12N65X2 IXTP12N65X2 MOSFET N-CH 650V 12A TO220 2213

Подробнее о заказе
IPP80N08S406AKSA1 IPP80N08S406AKSA1 MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3-1 77630

Подробнее о заказе
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 3230

Подробнее о заказе
FQPF28N15 FQPF28N15 MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F 2735

Подробнее о заказе
2SK1445LS 2SK1445LS N-CHANNEL SILICON MOSFET 14524

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10803 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.61530$0.6153
2500$0.61530$1538.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top