FDC6301N_G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDC6301N_G

FDC6301N_G

Увеличить

Только для справки

номер части	FDC6301N_G
LIXINC Part #	FDC6301N_G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDC6301N_G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDC6301N_G Технические характеристики

номер части:	FDC6301N_G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	25V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	220mA
rds on (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	0.7nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	9.5pF @ 10V
мощность - макс.:	700mW
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
пакет устройств поставщика:	SuperSOT™-6

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015