QJD1210SA1 | Powerex, Inc. QJD1210SA1 | QJD1210SA1 Inventory, Best Pricing

QJD1210SA1

Увеличить

Только для справки

номер части	QJD1210SA1
LIXINC Part #	QJD1210SA1
Производитель	Powerex, Inc.
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	QJD1210SA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

QJD1210SA1 Технические характеристики

номер части:	QJD1210SA1
Бренд:	Powerex, Inc.
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Powerex, Inc.
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	1200V (1.2kV)
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	100A
rds on (max) @ id, vgs:	17mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.6V @ 34mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	330nC @ 15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	8200pF @ 10V
мощность - макс.:	520W
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015