APTSM120AM09CD3AG | Microsemi APTSM120AM09CD3AG | APTSM120AM09CD3AG Inventory, Best Pricing

APTSM120AM09CD3AG

Увеличить

Только для справки

номер части	APTSM120AM09CD3AG
LIXINC Part #	APTSM120AM09CD3AG
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Описание	MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTSM120AM09CD3AG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTSM120AM09CD3AG Технические характеристики

номер части:	APTSM120AM09CD3AG
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Silicon Carbide (SiC)
напряжение сток-исток (vdss):	1200V (1.2kV)
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	337A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 180A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 9mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	1224nC @ 20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	23000pF @ 1000V
мощность - макс.:	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015