BFP 640FESD E6327 | IR (Infineon Technologies) BFP 640FESD E6327 | BFP 640FESD E6327 Inventory, Best Pricing

BFP 640FESD E6327

Увеличить

Только для справки

номер части	BFP 640FESD E6327
LIXINC Part #	BFP 640FESD E6327
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BFP 640FESD E6327 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BFP 640FESD E6327 Технические характеристики

номер части:	BFP 640FESD E6327
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	4.7V
частота - переход:	46GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
прирост:	8B ~ 30.5dB
мощность - макс.:	200mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	110 @ 30mA, 3V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50mA
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	4-SMD, Flat Leads
пакет устройств поставщика:	4-TSFP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015