MRF5812G | Microsemi MRF5812G | MRF5812G Inventory, Best Pricing

MRF5812G

Увеличить

Только для справки

номер части	MRF5812G
LIXINC Part #	MRF5812G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Описание	RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MRF5812G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MRF5812G Технические характеристики

номер части:	MRF5812G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	15V
частота - переход:	5GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	2dB ~ 3dB @ 500MHz
прирост:	13dB ~ 15.5dB
мощность - макс.:	1.25W
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	50 @ 50mA, 5V
ток - коллектор (ic) (макс.):	200mA
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	8-SO

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015