IRG7CH81K10EF-R | IR (Infineon Technologies) IRG7CH81K10EF-R | IRG7CH81K10EF-R Inventory, Best Pricing

IRG7CH81K10EF-R

Увеличить

Только для справки

номер части	IRG7CH81K10EF-R
LIXINC Part #	IRG7CH81K10EF-R
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRG7CH81K10EF-R След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRG7CH81K10EF-R Технические характеристики

номер части:	IRG7CH81K10EF-R
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 150A
мощность - макс.:	-
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	745 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	70ns/330ns
условия испытаний:	600V, 150A, 1Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015