GT60N321(Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT60N321(Q)

GT60N321(Q)

Увеличить

Только для справки

номер части	GT60N321(Q)
LIXINC Part #	GT60N321(Q)
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	GT60N321(Q) След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

GT60N321(Q) Технические характеристики

номер части:	GT60N321(Q)
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1000 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	60 A
ток - коллектор импульсный (icm):	120 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 60A
мощность - макс.:	170 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	-
td (вкл./выкл.) при 25°C:	330ns/700ns
условия испытаний:	-
время обратного восстановления (trr):	2.5 µs
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3PL
пакет устройств поставщика:	TO-3P(LH)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015