CTLDM8120-M621H TR | Central Semiconductor CTLDM8120-M621H TR | CTLDM8120-M621H TR Inventory, Best Pricing

CTLDM8120-M621H TR

Увеличить

Только для справки

номер части	CTLDM8120-M621H TR
LIXINC Part #	CTLDM8120-M621H TR
Производитель	Central Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 950MA TLM621H
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CTLDM8120-M621H TR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CTLDM8120-M621H TR Технические характеристики

номер части:	CTLDM8120-M621H TR
Бренд:	Central Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Central Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	950mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	3.56 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	200 pF @ 16 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.6W (Ta)
Рабочая Температура:	-65°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TLM621H
упаковка / чехол:	6-XFDFN Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015