APTM120DA56T1G | Microsemi APTM120DA56T1G | APTM120DA56T1G Inventory, Best Pricing

APTM120DA56T1G

Увеличить

Только для справки

номер части	APTM120DA56T1G
LIXINC Part #	APTM120DA56T1G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTM120DA56T1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTM120DA56T1G Технические характеристики

номер части:	APTM120DA56T1G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	18A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	672mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 2.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	300 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	7736 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	390W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
пакет устройств поставщика:	SP1
упаковка / чехол:	SP1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015