APTGF50DDA120T3G | Microsemi APTGF50DDA120T3G | APTGF50DDA120T3G Inventory, Best Pricing

APTGF50DDA120T3G

Увеличить

Только для справки

номер части	APTGF50DDA120T3G
LIXINC Part #	APTGF50DDA120T3G
Производитель	Microsemi
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 1200V 70A 312W SP3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTGF50DDA120T3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTGF50DDA120T3G Технические характеристики

номер части:	APTGF50DDA120T3G
Бренд:	Microsemi
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Microsemi
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
конфигурация:	Dual Boost Chopper
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	70 A
мощность - макс.:	312 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.7V @ 15V, 50A
ток - отсечка коллектора (макс.):	250 µA
входная емкость (cis) @ vce:	3.45 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	SP3
пакет устройств поставщика:	SP3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015