VS-ETF150Y65U | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF150Y65U

VS-ETF150Y65U

Увеличить

Только для справки

номер части	VS-ETF150Y65U
LIXINC Part #	VS-ETF150Y65U
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VS-ETF150Y65U След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VS-ETF150Y65U Технические характеристики

номер части:	VS-ETF150Y65U
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench
конфигурация:	Three Level Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	142 A
мощность - макс.:	417 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.06V @ 15V, 100A
ток - отсечка коллектора (макс.):	100 µA
входная емкость (cis) @ vce:	6.6 nF @ 30 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	EMIPAK-2B
пакет устройств поставщика:	EMIPAK-2B

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015