IXGQ35N120BD1 | Wickmann / Littelfuse IXGQ35N120BD1 | IXGQ35N120BD1 Inventory, Best Pricing

IXGQ35N120BD1

Увеличить

Только для справки

номер части	IXGQ35N120BD1
LIXINC Part #	IXGQ35N120BD1
Производитель	Wickmann / Littelfuse
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1200V 75A 400W TO3P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IXGQ35N120BD1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IXGQ35N120BD1 Технические характеристики

номер части:	IXGQ35N120BD1
Бренд:	Wickmann / Littelfuse
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Wickmann / Littelfuse
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	75 A
ток - коллектор импульсный (icm):	200 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.3V @ 15V, 35A
мощность - макс.:	400 W
переключение энергии:	900µJ (on), 3.8mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	140 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	40ns/270ns
условия испытаний:	960V, 35A, 3Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	40 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3
пакет устройств поставщика:	TO-3P

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015