STGD3NB60SD-1 | STMicroelectronics STGD3NB60SD-1 | STGD3NB60SD-1 Inventory, Best Pricing

STGD3NB60SD-1

Увеличить

Только для справки

номер части	STGD3NB60SD-1
LIXINC Part #	STGD3NB60SD-1
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 6A 48W DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STGD3NB60SD-1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STGD3NB60SD-1 Технические характеристики

номер части:	STGD3NB60SD-1
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	PowerMESH™
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	6 A
ток - коллектор импульсный (icm):	25 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	1.5V @ 15V, 3A
мощность - макс.:	48 W
переключение энергии:	1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	18 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	125µs/3.4µs
условия испытаний:	480V, 3A, 1kOhm, 15V
время обратного восстановления (trr):	1.7 µs
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	DPAK

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015