GPA030A135MN-FDR | SemiQ GPA030A135MN-FDR | GPA030A135MN-FDR Inventory, Best Pricing

GPA030A135MN-FDR

Увеличить

Только для справки

номер части	GPA030A135MN-FDR
LIXINC Part #	GPA030A135MN-FDR
Производитель	SemiQ
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	GPA030A135MN-FDR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

GPA030A135MN-FDR Технические характеристики

номер части:	GPA030A135MN-FDR
Бренд:	SemiQ
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	SemiQ
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	Trench Field Stop
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1350 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	60 A
ток - коллектор импульсный (icm):	90 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 30A
мощность - макс.:	329 W
переключение энергии:	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	300 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	30ns/145ns
условия испытаний:	600V, 30A, 5Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	450 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-3
пакет устройств поставщика:	TO-3PN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015