RJP65T43DPQ-A0#T2 | Renesas Electronics America RJP65T43DPQ-A0#T2 | RJP65T43DPQ-A0#T2 Inventory, Best Pricing

RJP65T43DPQ-A0#T2

Увеличить

Только для справки

номер части	RJP65T43DPQ-A0#T2
LIXINC Part #	RJP65T43DPQ-A0#T2
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RJP65T43DPQ-A0#T2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RJP65T43DPQ-A0#T2 Технические характеристики

номер части:	RJP65T43DPQ-A0#T2
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	60 A
ток - коллектор импульсный (icm):	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 20A
мощность - макс.:	150 W
переключение энергии:	170µJ (on), 130µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	69 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	35ns/105ns
условия испытаний:	400V, 20A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247A

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015