Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSP170PE6327

BSP170PE6327
Увеличить

Только для справки

номер части BSP170PE6327
LIXINC Part # BSP170PE6327
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSP170PE6327 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSP170PE6327 Технические характеристики

номер части:BSP170PE6327
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Obsolete
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:1.9A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:300mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:410 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):1.8W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223-4
упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA

BSP170PE6327 Документы

if BSP170PE6327 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTD80N02 NTD80N02 MOSFET N-CH 24V 80A DPAK 800

Подробнее о заказе
SI1046X-T1-GE3 SI1046X-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V SC89-3 890

Подробнее о заказе
SIA430DJ-T4-GE3 SIA430DJ-T4-GE3 MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK 892

Подробнее о заказе
PHB176NQ04T,118 PHB176NQ04T,118 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 918

Подробнее о заказе
IPD50N06S2L13ATMA1 IPD50N06S2L13ATMA1 MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 906

Подробнее о заказе
IXTA110N055T7 IXTA110N055T7 MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7 827

Подробнее о заказе
IRLR7807ZTRLPBF IRLR7807ZTRLPBF MOSFET N-CH 30V 43A DPAK 978

Подробнее о заказе
IRFL9110 IRFL9110 MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 998

Подробнее о заказе
IPFH6N03LA G IPFH6N03LA G MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 860

Подробнее о заказе
SIB413DK-T1-GE3 SIB413DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6 954

Подробнее о заказе
IRF6608TR1 IRF6608TR1 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 809

Подробнее о заказе
IRFR9014 IRFR9014 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 898

Подробнее о заказе
FQB17P06TM FQB17P06TM MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK 906

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10953 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top