IPD50N06S2L13ATMA1

IPD50N06S2L13ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD50N06S2L13ATMA1
LIXINC Part # IPD50N06S2L13ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD50N06S2L13ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD50N06S2L13ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD50N06S2L13ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Discontinued at Digi-Key
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:12.7mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 80µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:69 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXTA110N055T7 IXTA110N055T7 MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7 938

Подробнее о заказе

IRLR7807ZTRLPBF IRLR7807ZTRLPBF MOSFET N-CH 30V 43A DPAK 904

Подробнее о заказе

IRFL9110 IRFL9110 MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 879

Подробнее о заказе

IPFH6N03LA G IPFH6N03LA G MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 841

Подробнее о заказе

SIB413DK-T1-GE3 SIB413DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6 803

Подробнее о заказе

IRF6608TR1 IRF6608TR1 MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET 911

Подробнее о заказе

IRFR9014 IRFR9014 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 883

Подробнее о заказе

FQB17P06TM FQB17P06TM MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK 825

Подробнее о заказе

TK16A45D(STA4,Q,M) TK16A45D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 450V 16A TO220SIS 919

Подробнее о заказе

IRFR3704TRLPBF IRFR3704TRLPBF MOSFET N-CH 20V 75A DPAK 984

Подробнее о заказе

IRF9332PBF IRF9332PBF MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO 905

Подробнее о заказе

IPD5N03LAG IPD5N03LAG MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 866

Подробнее о заказе

SIE804DF-T1-GE3 SIE804DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK 812

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10849 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top