GSID100A120T2C1 | SemiQ GSID100A120T2C1 | GSID100A120T2C1 Inventory, Best Pricing

GSID100A120T2C1

Увеличить

Только для справки

номер части	GSID100A120T2C1
LIXINC Part #	GSID100A120T2C1
Производитель	SemiQ
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1200V 200A 640W
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	GSID100A120T2C1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

GSID100A120T2C1 Технические характеристики

номер части:	GSID100A120T2C1
Бренд:	SemiQ
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	SemiQ
ряд:	Amp+™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Three Phase Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	200 A
мощность - макс.:	640 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1 mA
входная емкость (cis) @ vce:	13.7 nF @ 25 V
вход:	Three Phase Bridge Rectifier
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$119.77833	$119.77833
6	$119.77833	$718.66998

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015