VS-ETF150Y65N | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

Увеличить

Только для справки

номер части	VS-ETF150Y65N
LIXINC Part #	VS-ETF150Y65N
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 650V 201A 600W
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VS-ETF150Y65N След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VS-ETF150Y65N Технические характеристики

номер части:	VS-ETF150Y65N
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	FRED Pt®
упаковка:	Box
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	NPT
конфигурация:	Half Bridge Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	201 A
мощность - макс.:	600 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.17V @ 15V, 150A
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
входная емкость (cis) @ vce:	-
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015