Только для справки
| номер части | FDB0300N1007L |
| LIXINC Part # | FDB0300N1007L |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB0300N1007L След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB0300N1007L |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 200A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3mOhm @ 26A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 113 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 8.295 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263-7 |
| упаковка / чехол: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| TK15J60U(F) | MOSFET N-CH 600V 15A TO3P | 1021 Подробнее о заказе |
|
| FDS6986S | N-CHANNEL POWER MOSFET | 145919 Подробнее о заказе |
|
| IPA65R190CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 869 Подробнее о заказе |
|
| IPW60R037P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 | 1990 Подробнее о заказе |
|
| SI1403BDL-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 | 4907 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C450NLAFT1G | MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN | 918 Подробнее о заказе |
|
| DMNH10H028SK3-13 | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | 993 Подробнее о заказе |
|
| IPD90N04S404ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | 817 Подробнее о заказе |
|
| SCT3060ALGC11 | SICFET N-CH 650V 39A TO247N | 1220 Подробнее о заказе |
|
| FDP6035L | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4135 Подробнее о заказе |
|
| GKI04048 | MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN | 3302 Подробнее о заказе |
|
| SPB11N60C2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1159 Подробнее о заказе |
|
| NVTFS5824NLWFTAG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 20343 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11575 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.92000 | $2.92 |
| 800 | $2.92000 | $2336 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.