SI1403BDL-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI1403BDL-T1-GE3 | SI1403BDL-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI1403BDL-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SI1403BDL-T1-GE3
LIXINC Part #	SI1403BDL-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SI1403BDL-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SI1403BDL-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SI1403BDL-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	4.5 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	625mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SC-70-6
упаковка / чехол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NVMFS5C450NLAFT1G	MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN	836 Подробнее о заказе
DMNH10H028SK3-13	MOSFET N-CH 100V 55A TO252	878 Подробнее о заказе
IPD90N04S404ATMA1	MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3	987 Подробнее о заказе
SCT3060ALGC11	SICFET N-CH 650V 39A TO247N	1231 Подробнее о заказе
FDP6035L	N-CHANNEL POWER MOSFET	4099 Подробнее о заказе
GKI04048	MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN	3363 Подробнее о заказе
SPB11N60C2	N-CHANNEL POWER MOSFET	1179 Подробнее о заказе
NVTFS5824NLWFTAG	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	20475 Подробнее о заказе
TK6A45DA(STA4,Q,M)	MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS	941 Подробнее о заказе
SQ4435EY-T1_BE3	MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC	3382 Подробнее о заказе
APT22F120B2	MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX	880 Подробнее о заказе
DMNH6021SK3Q-13	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-4L	24075813 Подробнее о заказе
FDS7764S	MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC	119700 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015