Только для справки
| номер части | IRF3710STRRPBF |
| LIXINC Part # | IRF3710STRRPBF |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | PFET, 57A I(D), 100V, 0.023OHM, |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRF3710STRRPBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRF3710STRRPBF |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | HEXFET® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 57A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 23mOhm @ 28A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 130 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3.13 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 200W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D2PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SI2329DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 | 12360 Подробнее о заказе |
|
| DMP6023LFGQ-13 | MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 | 829 Подробнее о заказе |
|
| PMZ1000UN,315 | MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3 | 1710 Подробнее о заказе |
|
| R6047ENZ1C9 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247 | 1080 Подробнее о заказе |
|
| 2SK2731T146 | MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3 | 6031 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S2L11ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 | 65941 Подробнее о заказе |
|
| FDP030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 1926 Подробнее о заказе |
|
| SQJ456EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 | 2007 Подробнее о заказе |
|
| IRLHS6342TRPBF | MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN | 7294 Подробнее о заказе |
|
| IPA60R190P6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP | 915 Подробнее о заказе |
|
| RM12N650T2 | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3 | 992 Подробнее о заказе |
|
| PSMNR90-40YLHX | MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56 | 1271 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFS8408 | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 1310 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13003 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.64000 | $0.64 |
| 800 | $0.64000 | $512 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.