Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N06S2L11ATMA2

IPB80N06S2L11ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S2L11ATMA2
LIXINC Part # IPB80N06S2L11ATMA2
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S2L11ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S2L11ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S2L11ATMA2
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:10.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 93µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.075 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):158W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S2L11ATMA2 Документы

if IPB80N06S2L11ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDP030N06 FDP030N06 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 1875

Подробнее о заказе
SQJ456EP-T1_GE3 SQJ456EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 2078

Подробнее о заказе
IRLHS6342TRPBF IRLHS6342TRPBF MOSFET N-CH 30V 8.7A/19A 6PQFN 7423

Подробнее о заказе
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP 970

Подробнее о заказе
RM12N650T2 RM12N650T2 MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3 837

Подробнее о заказе
PSMNR90-40YLHX PSMNR90-40YLHX MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK56 1306

Подробнее о заказе
AUIRFS8408 AUIRFS8408 AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL 1462

Подробнее о заказе
RX3G07CGNC16 RX3G07CGNC16 MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB 1846

Подробнее о заказе
TK40E10N1,S1X TK40E10N1,S1X MOSFET N CH 100V 90A TO220 966

Подробнее о заказе
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7 1895

Подробнее о заказе
IRF7201PBF IRF7201PBF HEXFET POWER MOSFET 6552

Подробнее о заказе
SQ3418EV-T1_GE3 SQ3418EV-T1_GE3 MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP 951

Подробнее о заказе
TSM3N90CH C5G TSM3N90CH C5G MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251 2663

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 65921 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.72000$0.72
1000$0.70818$708.18

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top