Только для справки
| номер части | TK6P65W,RQ |
| LIXINC Part # | TK6P65W,RQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK6P65W,RQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK6P65W,RQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | DTMOSIV |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 5.8A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.05Ohm @ 2.9A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 180µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 11 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 390 pF @ 300 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 60W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DPAK |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| BUK7E5R2-100E,127 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | 1243 Подробнее о заказе |
|
| BSZ009NE2LS5ATMA1 | MOSFET N-CH 25V 39A/40A TSDSON | 807 Подробнее о заказе |
|
| IRFP4127PBF | MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC | 821 Подробнее о заказе |
|
| IRLL014NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 | 24051 Подробнее о заказе |
|
| UF3C120040K4S | SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4 | 1488 Подробнее о заказе |
|
| NVMS10P02R2G | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC | 5531 Подробнее о заказе |
|
| FDD2582 | MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA | 1353 Подробнее о заказе |
|
| PMV100XPEAR | MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB | 3676 Подробнее о заказе |
|
| FQAF13N80 | MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF | 901 Подробнее о заказе |
|
| FDPF12N35 | MOSFET N-CH 350V 12A TO220F | 2390 Подробнее о заказе |
|
| IRF1324STRL-7PP | MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK | 820 Подробнее о заказе |
|
| NVTFWS015N04CTAG | MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN | 26478 Подробнее о заказе |
|
| IPP65R600E6XKSA1 | 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR | 11562 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12674 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.33000 | $1.33 |
| 2000 | $0.53387 | $1067.74 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.