Только для справки
| номер части | NVMS10P02R2G |
| LIXINC Part # | NVMS10P02R2G |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | NVMS10P02R2G След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | NVMS10P02R2G |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 10A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SOIC |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FDD2582 | MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA | 1307 Подробнее о заказе |
|
| PMV100XPEAR | MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB | 3772 Подробнее о заказе |
|
| FQAF13N80 | MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF | 1060 Подробнее о заказе |
|
| FDPF12N35 | MOSFET N-CH 350V 12A TO220F | 2372 Подробнее о заказе |
|
| IRF1324STRL-7PP | MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK | 814 Подробнее о заказе |
|
| NVTFWS015N04CTAG | MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN | 26370 Подробнее о заказе |
|
| IPP65R600E6XKSA1 | 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR | 11450 Подробнее о заказе |
|
| MMSF1310R2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8359 Подробнее о заказе |
|
| PSMN016-100YS,115 | MOSFET N-CH 100V 51A LFPAK56 | 1015 Подробнее о заказе |
|
| IRF520PBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB | 1778 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C645NLWFT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 11064 Подробнее о заказе |
|
| IRFZ14PBF-BE3 | MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB | 1965 Подробнее о заказе |
|
| SI4864DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 17A 8SO | 941 Подробнее о заказе |
| В наличии | 15671 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.68000 | $0.68 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.